ZXMP10A18KTC 与 SPD15P10PL G 区别
| 型号 | ZXMP10A18KTC | SPD15P10PL G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMP10A18KTC | A-SPD15P10PL G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 100 V 0.15 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.17W(Ta) | 128W |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 5.9A | 15A |
| 系列 | - | SPD15P10 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1055pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26.9nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 150mΩ@2.8A,10V | 200mΩ@11.3A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 14 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.17W(Ta) 150mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 5.9A |
暂无价格 | 14 | 当前型号 |
|
SPD15P10PL G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 15A 200mΩ@11.3A,10V ±20V 128W P-Channel -55°C~175°C TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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